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ROHM Semiconductor / RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB

Número da peça do fabricante: RQ3E180BNTB
Fabricante: ROHM Semiconductor
Parte da descrição: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Folhas de dados: RQ3E180BNTB Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS: Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque: Em estoque
Vindo de: Hong Kong
Forma de Remessa: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVAÇÃO
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package

Especificação
Modelo Descrição
Series-
PacoteTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peçaActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C39A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs3.9mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs37 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds3500 pF @ 15 V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)2W (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor8-HSMT (3.2x3)
Embalagem / Caixa8-PowerVDFN
OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 240

Mínimo: 1

Quantidade Preço unitário Ramal Preço

Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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