RQ3E120BNTB

Número da peça do fabricante:	RQ3E120BNTB
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Folhas de dados:	RQ3E120BNTB Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OBSERVAÇÃO: ROHM Semiconductor # C1 # está disponível em chipnets.com. Nós apenas vendemos peças novas e originais e oferecemos 1 ano de garantia. Se você deseja saber mais sobre os produtos ou aplicar um preço mais melhor, entre em contato conosco clicando no Chat Online ou envie-nos um orçamento.

Todos os componentes Eelctronics serão embalados com muita segurança por proteção antiestática ESD.

package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	-
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	12A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	9.3mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 15 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2W (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	8-HSMT (3.2x3)
Embalagem / Caixa	8-PowerVDFN

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 70

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

Modelos populares

Este item foi adicionado ao seu carrinho.