SI8429DB-T1-E1

Número da peça do fabricante:	SI8429DB-T1-E1
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte da descrição:	MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
Folhas de dados:	SI8429DB-T1-E1 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OBSERVAÇÃO: Vishay / Siliconix # C1 # está disponível em chipnets.com. Nós apenas vendemos peças novas e originais e oferecemos 1 ano de garantia. Se você deseja saber mais sobre os produtos ou aplicar um preço mais melhor, entre em contato conosco clicando no Chat Online ou envie-nos um orçamento.

Todos os componentes Eelctronics serão embalados com muita segurança por proteção antiestática ESD.

package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	TrenchFET®
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	8 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	11.7A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	35mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	26 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1640 pF @ 4 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	4-Microfoot
Embalagem / Caixa	4-XFBGA, CSPBGA

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 11970

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

Modelos populares

Este item foi adicionado ao seu carrinho.