SI8487DB-T1-E1

Número da peça do fabricante:	SI8487DB-T1-E1
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte da descrição:	MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Folhas de dados:	SI8487DB-T1-E1 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	TrenchFET®
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	4.9A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	31mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2240 pF @ 15 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	4-Microfoot
Embalagem / Caixa	4-UFBGA

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 2614

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

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