CSD13303W1015

Número da peça do fabricante:	CSD13303W1015
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Folhas de dados:	CSD13303W1015 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	NexFET™
Pacote	Bulk
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	12 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	31A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	4.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	715 pF @ 6 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.65W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	6-DSBGA
Embalagem / Caixa	6-UFBGA, DSBGA

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 165000

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

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