CSD19532KTT

Número da peça do fabricante:	CSD19532KTT
Fabricante:	Texas Instruments
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Folhas de dados:	CSD19532KTT Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificação

Modelo	Descrição
Series	NexFET™
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	200A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	5.6mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	57 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5060 pF @ 50 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	250W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	DDPAK/TO-263-3
Embalagem / Caixa	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
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