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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / GB35XF120K

GB35XF120K

Número da peça do fabricante: GB35XF120K
Fabricante: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Parte da descrição: IGBT MODULE 1200V 50A 284W
Folhas de dados: GB35XF120K Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS: Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque: Em estoque
Vindo de: Hong Kong
Forma de Remessa: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVAÇÃO
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package

Especificação
Modelo Descrição
Series-
Pacote-
Status da peçaObsolete
Tipo IGBTNPT
ConfiguraçãoThree Phase Inverter
Voltagem - Discriminação do coletor emissor (máx.)1200 V
Atual - Coletor (Ic) (Máx)50 A
Potência - Máx.284 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 50A
Atual - Corte do coletor (máx.)100 µA
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce3.475 nF @ 30 V
EntradaStandard
Termistor NTCNo
Temperatura de operação150°C (TJ)
Tipo de montagemChassis Mount
Embalagem / CaixaECONO2
Pacote de dispositivo do fornecedor-
OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade Preço unitário Ramal Preço

Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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GB35XF120K

Vishay General Semiconductor – Diodes Division

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