19MT050XF

Número da peça do fabricante:	19MT050XF
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Parte da descrição:	MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
Folhas de dados:	19MT050XF Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	HEXFET®
Pacote	Bulk
Status da peça	Obsolete
Tipo FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Recurso FET	Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	500V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	31A
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	220mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	160nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7210pF @ 25V
Potência - Máx.	1140W
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Chassis Mount
Embalagem / Caixa	16-MTP Module
Pacote de dispositivo do fornecedor	16-MTP

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

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	19MT050XF Vishay General Semiconductor – Diodes Division

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