QJD1210011

Número da peça do fabricante:	QJD1210011
Fabricante:	Powerex, Inc.
Parte da descrição:	MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Folhas de dados:	QJD1210011 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OBSERVAÇÃO: Powerex, Inc. # C1 # está disponível em chipnets.com. Nós apenas vendemos peças novas e originais e oferecemos 1 ano de garantia. Se você deseja saber mais sobre os produtos ou aplicar um preço mais melhor, entre em contato conosco clicando no Chat Online ou envie-nos um orçamento.

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	-
Pacote	Bulk
Status da peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	100A (Tc)
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	25mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 10mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	500nC @ 20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10200pF @ 800V
Potência - Máx.	900W
Temperatura de operação	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Chassis Mount
Embalagem / Caixa	Module
Pacote de dispositivo do fornecedor	Module

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

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