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Número da peça do fabricante: | SISF06DN-T1-GE3 |
Fabricante: | Vishay / Siliconix |
Parte da descrição: | COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S |
Status livre de chumbo / Status RoHS: | Chumbo Livre / Compatível com RoHS |
Condição de estoque: | Em estoque |
Vindo de: | Hong Kong |
Forma de Remessa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Modelo | Descrição |
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Series | TrenchFET® Gen IV |
Pacote | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Status da peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C | 28A (Ta), 101A (Tc) |
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 15V |
Potência - Máx. | 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Embalagem / Caixa | PowerPAK® 1212-8SCD |
Pacote de dispositivo do fornecedor | PowerPAK® 1212-8SCD |
Status do estoque: 5029
Mínimo: 1
Quantidade | Preço unitário | Ramal Preço |
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![]() Preço não disponível, RFQ |
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