TRS3E65F,S1Q

Número da peça do fabricante:	TRS3E65F,S1Q
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte da descrição:	PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=3A
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OBSERVAÇÃO: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation # C1 # está disponível em chipnets.com. Nós apenas vendemos peças novas e originais e oferecemos 1 ano de garantia. Se você deseja saber mais sobre os produtos ou aplicar um preço mais melhor, entre em contato conosco clicando no Chat Online ou envie-nos um orçamento.

Todos os componentes Eelctronics serão embalados com muita segurança por proteção antiestática ESD.

package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	-
Pacote	Tube
Status da peça	Active
Tipo de Diodo	Silicon Carbide Schottky
Tensão - CC Reversa (Vr) (Máx)	650 V
Atual - Média retificada (Io)	3A (DC)
Tensão - Avanço (Vf) (Máx.) @ If	1.6 V @ 3 A
Velocidade	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperação reversa (trr)	0 ns
Corrente - Vazamento reverso @ Vr	20 µA @ 650 V
Capacitância @ Vr, F	12pF @ 650V, 1MHz
Tipo de montagem	Through Hole
Embalagem / Caixa	TO-220-2
Pacote de dispositivo do fornecedor	TO-220-2L
Temperatura operacional - junção	175°C (Max)

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 200

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

Modelos populares

	TRS3E65F,S1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Este item foi adicionado ao seu carrinho.