TRS8A65F,S1Q

Número da peça do fabricante:	TRS8A65F,S1Q
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte da descrição:	PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=8A
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	-
Pacote	Tube
Status da peça	Active
Tipo de Diodo	Silicon Carbide Schottky
Tensão - CC Reversa (Vr) (Máx)	650 V
Atual - Média retificada (Io)	8A (DC)
Tensão - Avanço (Vf) (Máx.) @ If	1.6 V @ 8 A
Velocidade	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperação reversa (trr)	0 ns
Corrente - Vazamento reverso @ Vr	40 µA @ 650 V
Capacitância @ Vr, F	28pF @ 650V, 1MHz
Tipo de montagem	Through Hole
Embalagem / Caixa	TO-220-2 Full Pack
Pacote de dispositivo do fornecedor	TO-220F-2L
Temperatura operacional - junção	175°C (Max)

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 200

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

Modelos populares

	TRS8E65C,S1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TRS8E65F,S1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
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