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GeneSiC Semiconductor / 1N3766R

1N3766R

Número da peça do fabricante: 1N3766R
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Parte da descrição: DIODE GEN PURP REV 800V 35A DO5
Folhas de dados: 1N3766R Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS: Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque: Em estoque
Vindo de: Hong Kong
Forma de Remessa: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVAÇÃO
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package

Especificação
Modelo Descrição
Series-
PacoteBulk
Status da peçaActive
Tipo de DiodoStandard, Reverse Polarity
Tensão - CC Reversa (Vr) (Máx)800 V
Atual - Média retificada (Io)35A
Tensão - Avanço (Vf) (Máx.) @ If1.2 V @ 35 A
VelocidadeStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperação reversa (trr)-
Corrente - Vazamento reverso @ Vr10 µA @ 50 V
Capacitância @ Vr, F-
Tipo de montagemChassis, Stud Mount
Embalagem / CaixaDO-203AB, DO-5, Stud
Pacote de dispositivo do fornecedorDO-5
Temperatura operacional - junção-65°C ~ 190°C
OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade Preço unitário Ramal Preço

Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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