XPN7R104NC,L1XHQ

Número da peça do fabricante:	XPN7R104NC,L1XHQ
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON
Folhas de dados:	XPN7R104NC,L1XHQ Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificação

Modelo	Descrição
Series	U-MOSIII
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	20A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	7.1mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 200µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1290 pF @ 10 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	840mW (Ta), 65W (Tc)
Temperatura de operação	175°C
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Embalagem / Caixa	8-PowerVDFN

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 9970

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

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