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Número da peça do fabricante: | SSM6K517NU,LF |
Fabricante: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Parte da descrição: | MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB |
Status livre de chumbo / Status RoHS: | Chumbo Livre / Compatível com RoHS |
Condição de estoque: | Em estoque |
Vindo de: | Hong Kong |
Forma de Remessa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Modelo | Descrição |
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Series | - |
Pacote | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Status da peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30 V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C | 6A (Ta) |
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs | 39.1mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs | 3.2 nC @ 4.5 V |
Vgs (máx.) | +12V, -8V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 310 pF @ 15 V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.25W (Ta) |
Temperatura de operação | 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de dispositivo do fornecedor | 6-UDFNB (2x2) |
Embalagem / Caixa | 6-WDFN Exposed Pad |
Status do estoque: 5812
Mínimo: 1
Quantidade | Preço unitário | Ramal Preço |
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![]() Preço não disponível, RFQ |
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