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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / FCMT360N65S3

FCMT360N65S3

Número da peça do fabricante: FCMT360N65S3
Fabricante: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte da descrição: MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN
Folhas de dados: FCMT360N65S3 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS: Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque: Em estoque
Vindo de: Hong Kong
Forma de Remessa: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVAÇÃO
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package

Especificação
Modelo Descrição
SeriesSuperFET® III
PacoteTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peçaActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)650 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C10A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs360mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 200µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds730 pF @ 400 V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)83W (Tc)
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor4-PQFN (8x8)
Embalagem / Caixa4-PowerTSFN
OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 287524000

Mínimo: 1

Quantidade Preço unitário Ramal Preço

Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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