G3R30MT12K

Número da peça do fabricante:	G3R30MT12K
Fabricante:	GeneSiC Semiconductor
Parte da descrição:	SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Folhas de dados:	G3R30MT12K Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	G3R™
Pacote	Tube
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	90A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	36mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.69V @ 12mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	155 nC @ 15 V
Vgs (máx.)	±15V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3901 pF @ 800 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	400W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivo do fornecedor	TO-247-4
Embalagem / Caixa	TO-247-4

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 300

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

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