EPC2101

Número da peça do fabricante:	EPC2101
Fabricante:	EPC
Parte da descrição:	GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Folhas de dados:	EPC2101 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificação

Modelo	Descrição
Series	eGaN®
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	9.5A, 38A
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Potência - Máx.	-
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Embalagem / Caixa	Die
Pacote de dispositivo do fornecedor	Die

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 714

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

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