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IR (Infineon Technologies) / BSC0910NDIATMA1

BSC0910NDIATMA1

Número da peça do fabricante: BSC0910NDIATMA1
Fabricante: IR (Infineon Technologies)
Parte da descrição: MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
Folhas de dados: BSC0910NDIATMA1 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS: Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque: Em estoque
Vindo de: Hong Kong
Forma de Remessa: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVAÇÃO
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package

Especificação
Modelo Descrição
SeriesOptiMOS™
PacoteTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peçaActive
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Recurso FETLogic Level Gate, 4.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss)25V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C11A, 31A
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs4.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs6.6nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds4500pF @ 12V
Potência - Máx.1W
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Embalagem / Caixa8-PowerTDFN
Pacote de dispositivo do fornecedorPG-TISON-8
OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 4436

Mínimo: 1

Quantidade Preço unitário Ramal Preço

Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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