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Número da peça do fabricante: | APTMC120AM08CD3AG |
Fabricante: | Roving Networks / Microchip Technology |
Parte da descrição: | MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3 |
Folhas de dados: | APTMC120AM08CD3AG Folhas de dados |
Status livre de chumbo / Status RoHS: | Chumbo Livre / Compatível com RoHS |
Condição de estoque: | Em estoque |
Vindo de: | Hong Kong |
Forma de Remessa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Modelo | Descrição |
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Series | - |
Pacote | Bulk |
Status da peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Recurso FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C | 250A (Tc) |
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 200A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 10mA (Typ) |
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs | 490nC @ 20V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9500pF @ 1000V |
Potência - Máx. | 1100W |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Embalagem / Caixa | D-3 Module |
Pacote de dispositivo do fornecedor | D3 |
Status do estoque: Envio no mesmo dia
Mínimo: 1
Quantidade | Preço unitário | Ramal Preço |
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Preço não disponível, RFQ |
US $ 40 pela FedEx.
Chegue em 3-5 dias
Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente