BSO330N02KG

Número da peça do fabricante:	BSO330N02KG
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte da descrição:	N-CHANNEL POWER MOSFET
Folhas de dados:	BSO330N02KG Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	OptiMOS™
Pacote	Bulk
Status da peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	5.4A
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 20µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	4.9nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	730pF @ 10V
Potência - Máx.	1.4W
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Embalagem / Caixa	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivo do fornecedor	PG-DSO-8

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 2746

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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