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Número da peça do fabricante: | FD6M045N06 |
Fabricante: | Rochester Electronics |
Parte da descrição: | N-CHANNEL POWER MOSFET |
Folhas de dados: | FD6M045N06 Folhas de dados |
Status livre de chumbo / Status RoHS: | Chumbo Livre / Compatível com RoHS |
Condição de estoque: | Em estoque |
Vindo de: | Hong Kong |
Forma de Remessa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Modelo | Descrição |
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Series | Power-SPM™ |
Pacote | Tube |
Status da peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C | 60A |
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs | 87nC @ 10V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3890pF @ 25V |
Potência - Máx. | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Embalagem / Caixa | EPM15 |
Pacote de dispositivo do fornecedor | EPM15 |
Status do estoque: 1409
Mínimo: 1
Quantidade | Preço unitário | Ramal Preço |
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![]() Preço não disponível, RFQ |
US $ 40 pela FedEx.
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