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| Número da peça do fabricante: | CSD75207W15 |
| Fabricante: | Texas Instruments |
| Parte da descrição: | MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA |
| Folhas de dados: | CSD75207W15 Folhas de dados |
| Status livre de chumbo / Status RoHS: | Chumbo Livre / Compatível com RoHS |
| Condição de estoque: | Em estoque |
| Vindo de: | Hong Kong |
| Forma de Remessa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |

| Modelo | Descrição |
|---|---|
| Series | NexFET™ |
| Pacote | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Status da peça | Active |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) Common Source |
| Recurso FET | Logic Level Gate |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | - |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C | 3.9A |
| Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs | 162mOhm @ 1A, 1.8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs | 3.7nC @ 4.5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 595pF @ 10V |
| Potência - Máx. | 700mW |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Embalagem / Caixa | 9-UFBGA, DSBGA |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | 9-DSBGA |
Status do estoque: Envio no mesmo dia
Mínimo: 1
| Quantidade | Preço unitário | Ramal Preço |
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Preço não disponível, RFQ |
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