DF11MR12W1M1PB11BPSA1

Número da peça do fabricante:	DF11MR12W1M1PB11BPSA1
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
Parte da descrição:	MOSFET MODULE 1200V
Folhas de dados:	DF11MR12W1M1PB11BPSA1 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	EasyPACK™
Pacote	Tray
Status da peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	50A (Tj)
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	22.5mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.55V @ 20mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	124nC @ 15V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3680pF @ 800V
Potência - Máx.	20mW
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Chassis Mount
Embalagem / Caixa	Module
Pacote de dispositivo do fornecedor	AG-EASY1B-2

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 30

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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