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Número da peça do fabricante: | PMWD16UN,518 |
Fabricante: | NXP Semiconductors |
Parte da descrição: | MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP |
Folhas de dados: | PMWD16UN,518 Folhas de dados |
Status livre de chumbo / Status RoHS: | Chumbo Livre / Compatível com RoHS |
Condição de estoque: | Em estoque |
Vindo de: | Hong Kong |
Forma de Remessa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Modelo | Descrição |
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Series | TrenchMOS™ |
Pacote | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Status da peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C | 9.9A |
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs | 23.6nC @ 4.5V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1366pF @ 16V |
Potência - Máx. | 3.1W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Embalagem / Caixa | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacote de dispositivo do fornecedor | 8-TSSOP |
Status do estoque: Envio no mesmo dia
Mínimo: 1
Quantidade | Preço unitário | Ramal Preço |
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Preço não disponível, RFQ |
US $ 40 pela FedEx.
Chegue em 3-5 dias
Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente