EPC2108

Número da peça do fabricante:	EPC2108
Fabricante:	EPC
Parte da descrição:	GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Folhas de dados:	EPC2108 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificação

Modelo	Descrição
Series	eGaN®
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo FET	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Recurso FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V, 100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	1.7A, 500mA
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Potência - Máx.	-
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Embalagem / Caixa	9-VFBGA
Pacote de dispositivo do fornecedor	9-BGA (1.35x1.35)

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 2586

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

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