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Número da peça do fabricante: | NTMFD4C86NT3G |
Fabricante: | Rochester Electronics |
Parte da descrição: | NTMFD4C86N - POWERPHASE, DUAL N- |
Folhas de dados: | NTMFD4C86NT3G Folhas de dados |
Status livre de chumbo / Status RoHS: | Chumbo Livre / Compatível com RoHS |
Condição de estoque: | Em estoque |
Vindo de: | Hong Kong |
Forma de Remessa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Modelo | Descrição |
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Series | - |
Pacote | Bulk |
Status da peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C | 11.3A, 18.1A |
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs | 22.2nC @ 10V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1153pF @ 15V |
Potência - Máx. | 1.1W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Embalagem / Caixa | 8-PowerTDFN |
Pacote de dispositivo do fornecedor | 8-DFN (5x6) |
Status do estoque: 770000
Mínimo: 1
Quantidade | Preço unitário | Ramal Preço |
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![]() Preço não disponível, RFQ |
US $ 40 pela FedEx.
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Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente