BSO615N

Número da peça do fabricante:	BSO615N
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
Parte da descrição:	MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Folhas de dados:	BSO615N Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	SIPMOS®
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Status da peça	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	2.6A
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 25V
Potência - Máx.	2W
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Embalagem / Caixa	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivo do fornecedor	PG-DSO-8

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

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Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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