BSG0810NDIATMA1

Número da peça do fabricante:	BSG0810NDIATMA1
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
Parte da descrição:	MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Folhas de dados:	BSG0810NDIATMA1 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	OptiMOS™
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Recurso FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	25V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	19A, 39A
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	8.4nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1040pF @ 12V
Potência - Máx.	2.5W
Temperatura de operação	-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Embalagem / Caixa	8-PowerTDFN
Pacote de dispositivo do fornecedor	PG-TISON-8

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

Modelos populares

	BSG0813NDIATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSG0810NDIATMA1 IR (Infineon Technologies)
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