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Número da peça do fabricante: | IPG20N04S4L08AATMA1 |
Fabricante: | IR (Infineon Technologies) |
Parte da descrição: | MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON |
Folhas de dados: | IPG20N04S4L08AATMA1 Folhas de dados |
Status livre de chumbo / Status RoHS: | Chumbo Livre / Compatível com RoHS |
Condição de estoque: | Em estoque |
Vindo de: | Hong Kong |
Forma de Remessa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Modelo | Descrição |
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Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Pacote | Tape & Reel (TR) |
Status da peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C | 20A |
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 22µA |
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3050pF @ 25V |
Potência - Máx. | 54W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount, Wettable Flank |
Embalagem / Caixa | 8-PowerVDFN |
Pacote de dispositivo do fornecedor | PG-TDSON-8-10 |
Status do estoque: Envio no mesmo dia
Mínimo: 1
Quantidade | Preço unitário | Ramal Preço |
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![]() Preço não disponível, RFQ |
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