SIZ200DT-T1-GE3

Número da peça do fabricante:	SIZ200DT-T1-GE3
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte da descrição:	MOSFET N-CH DUAL 30V
Folhas de dados:	SIZ200DT-T1-GE3 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OBSERVAÇÃO: Vishay / Siliconix # C1 # está disponível em chipnets.com. Nós apenas vendemos peças novas e originais e oferecemos 1 ano de garantia. Se você deseja saber mais sobre os produtos ou aplicar um preço mais melhor, entre em contato conosco clicando no Chat Online ou envie-nos um orçamento.

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	TrenchFET® Gen IV
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Potência - Máx.	4.3W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Embalagem / Caixa	8-PowerWDFN
Pacote de dispositivo do fornecedor	8-PowerPair® (3.3x3.3)

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 765

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
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