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Vishay / Siliconix / SIZF300DT-T1-GE3
A imagem é para referência, entre em contato conosco para obter a imagem real
SIZF300DT-T1-GE3
| Número da peça do fabricante: | SIZF300DT-T1-GE3 |
| Fabricante: | Vishay / Siliconix |
| Parte da descrição: | MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3 |
| Folhas de dados: | SIZF300DT-T1-GE3 Folhas de dados |
| Status livre de chumbo / Status RoHS: | Chumbo Livre / Compatível com RoHS |
| Condição de estoque: | Em estoque |
| Vindo de: | Hong Kong |
| Forma de Remessa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVAÇÃO
- Vishay / Siliconix # C1 # está disponível em chipnets.com. Nós apenas vendemos peças novas e originais e oferecemos 1 ano de garantia. Se você deseja saber mais sobre os produtos ou aplicar um preço mais melhor, entre em contato conosco clicando no Chat Online ou envie-nos um orçamento.
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Especificação
| Modelo | Descrição |
|---|---|
| Series | TrenchFET® Gen IV |
| Pacote | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Status da peça | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Recurso FET | Standard |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C | 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc) |
| Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs | 22nC @ 10V, 62nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V |
| Potência - Máx. | 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Embalagem / Caixa | 8-PowerWDFN |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | 8-PowerPair® (6x5) |
OPÇÕES DE COMPRA
Status do estoque: 5975
Mínimo: 1
| Quantidade | Preço unitário | Ramal Preço |
|---|---|---|
Preço não disponível, RFQ |
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Cálculo de frete
US $ 40 pela FedEx.
Chegue em 3-5 dias
Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente
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