SI1912EDH-T1-E3

Número da peça do fabricante:	SI1912EDH-T1-E3
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte da descrição:	MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
Folhas de dados:	SI1912EDH-T1-E3 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	TrenchFET®
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	1.13A
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	280mOhm @ 1.13A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	450mV @ 100µA (Min)
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	1nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potência - Máx.	570mW
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Embalagem / Caixa	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de dispositivo do fornecedor	SC-70-6 (SOT-363)

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Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
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