SQJQ900E-T1_GE3

Número da peça do fabricante:	SQJQ900E-T1_GE3
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte da descrição:	MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Folhas de dados:	SQJQ900E-T1_GE3 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	100A (Tc)
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	120nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5900pF @ 20V
Potência - Máx.	75W
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Embalagem / Caixa	PowerPAK® 8 x 8 Dual
Pacote de dispositivo do fornecedor	PowerPAK® 8 x 8 Dual

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

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