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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TPC8212-H(TE12LQ,M

TPC8212-H(TE12LQ,M

Número da peça do fabricante: TPC8212-H(TE12LQ,M
Fabricante: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte da descrição: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Folhas de dados: TPC8212-H(TE12LQ,M Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS: Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque: Em estoque
Vindo de: Hong Kong
Forma de Remessa: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVAÇÃO
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package

Especificação
Modelo Descrição
Series-
PacoteTape & Reel (TR)
Status da peçaObsolete
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Recurso FETLogic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C6A
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs21mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs16nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds840pF @ 10V
Potência - Máx.450mW
Temperatura de operação150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Embalagem / Caixa8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pacote de dispositivo do fornecedor8-SOP (5.5x6.0)
OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade Preço unitário Ramal Preço

Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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