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Rochester Electronics / IRF8910PBF

IRF8910PBF

Número da peça do fabricante: IRF8910PBF
Fabricante: Rochester Electronics
Parte da descrição: HEXFET POWER MOSFET
Folhas de dados: IRF8910PBF Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS: Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque: Em estoque
Vindo de: Hong Kong
Forma de Remessa: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVAÇÃO
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package

Especificação
Modelo Descrição
SeriesHEXFET®
PacoteTube
Status da peçaObsolete
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Recurso FETLogic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C10A
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.55V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs11nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds960pF @ 10V
Potência - Máx.2W
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Embalagem / Caixa8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivo do fornecedor8-SO
OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade Preço unitário Ramal Preço

Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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