A2G35S160-01SR3

Número da peça do fabricante:	A2G35S160-01SR3
Fabricante:	NXP Semiconductors
Parte da descrição:	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Folhas de dados:	A2G35S160-01SR3 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	-
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo de transistor	LDMOS
Frequência	3.4GHz ~ 3.6GHz
Ganho	15.7dB
Tensão - Teste	48 V
Classificação atual (Amps)	-
Figura de ruído	-
Atual - Teste	190 mA
Potência da saída	51dBm
Tensão - nominal	125 V
Embalagem / Caixa	NI-400S-2S
Pacote de dispositivo do fornecedor	NI-400S-2S

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 224

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

Modelos populares

	A2G35S160-01SR3 NXP Semiconductors
	A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors

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