MMRF1006HR5

Número da peça do fabricante:	MMRF1006HR5
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte da descrição:	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Folhas de dados:	MMRF1006HR5 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OBSERVAÇÃO: Rochester Electronics # C1 # está disponível em chipnets.com. Nós apenas vendemos peças novas e originais e oferecemos 1 ano de garantia. Se você deseja saber mais sobre os produtos ou aplicar um preço mais melhor, entre em contato conosco clicando no Chat Online ou envie-nos um orçamento.

Todos os componentes Eelctronics serão embalados com muita segurança por proteção antiestática ESD.

package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	-
Pacote	Bulk
Status da peça	Active
Tipo de transistor	LDMOS
Frequência	450MHz
Ganho	20dB
Tensão - Teste	50 V
Classificação atual (Amps)	-
Figura de ruído	-
Atual - Teste	150 mA
Potência da saída	1000W
Tensão - nominal	120 V
Embalagem / Caixa	SOT-979A
Pacote de dispositivo do fornecedor	NI-1230-4H

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 45

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

Modelos populares

	MMRF1005HR5 NXP Semiconductors
	MMRF1004NR1 NXP Semiconductors
	MMRF1020-04NR3 Rochester Electronics
	MMRF1004GNR1 NXP Semiconductors
	MMRF1317HR5 NXP Semiconductors
	MMRF1306HR5 Rochester Electronics
	MMRF1312HR5 NXP Semiconductors
	MMRF2010GNR1 NXP Semiconductors
	MMRF1011HR5 NXP Semiconductors
	MMRF1304NR1 NXP Semiconductors

Este item foi adicionado ao seu carrinho.