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| Número da peça do fabricante: | IDH04G65C5XKSA2 |
| Fabricante: | IR (Infineon Technologies) |
| Parte da descrição: | DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2-1 |
| Folhas de dados: | IDH04G65C5XKSA2 Folhas de dados |
| Status livre de chumbo / Status RoHS: | Chumbo Livre / Compatível com RoHS |
| Condição de estoque: | Em estoque |
| Vindo de: | Hong Kong |
| Forma de Remessa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |

| Modelo | Descrição |
|---|---|
| Series | CoolSiC™+ |
| Pacote | Tube |
| Status da peça | Active |
| Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensão - CC Reversa (Vr) (Máx) | 650 V |
| Atual - Média retificada (Io) | 4A (DC) |
| Tensão - Avanço (Vf) (Máx.) @ If | 1.7 V @ 4 A |
| Velocidade | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo de recuperação reversa (trr) | 0 ns |
| Corrente - Vazamento reverso @ Vr | 70 µA @ 650 V |
| Capacitância @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Embalagem / Caixa | TO-220-2 |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | PG-TO220-2-1 |
| Temperatura operacional - junção | -55°C ~ 175°C |
Status do estoque: 4405
Mínimo: 1
| Quantidade | Preço unitário | Ramal Preço |
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Preço não disponível, RFQ |
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US $ 40 pela FedEx.
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