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WeEn Semiconductors Co., Ltd / WNSC10650T6J

WNSC10650T6J

Número da peça do fabricante: WNSC10650T6J
Fabricante: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Parte da descrição: SILICON CARBIDE POWER DIODE
Status livre de chumbo / Status RoHS: Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque: Em estoque
Vindo de: Hong Kong
Forma de Remessa: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVAÇÃO
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package

Especificação
Modelo Descrição
Series-
PacoteTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peçaActive
Tipo de DiodoSilicon Carbide Schottky
Tensão - CC Reversa (Vr) (Máx)650 V
Atual - Média retificada (Io)10A
Tensão - Avanço (Vf) (Máx.) @ If1.7 V @ 10 A
VelocidadeNo Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperação reversa (trr)0 ns
Corrente - Vazamento reverso @ Vr60 µA @ 650 V
Capacitância @ Vr, F328pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagemSurface Mount
Embalagem / Caixa4-VDFN Exposed Pad
Pacote de dispositivo do fornecedor5-DFN (8x8)
Temperatura operacional - junção175°C (Max)
OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 3000

Mínimo: 1

Quantidade Preço unitário Ramal Preço

Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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