IRLD120PBF

Número da peça do fabricante:	IRLD120PBF
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Folhas de dados:	IRLD120PBF Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	-
Pacote	Tube
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	1.3A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	270mOhm @ 780mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	490 pF @ 25 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.3W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivo do fornecedor	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Embalagem / Caixa	4-DIP (0.300", 7.62mm)

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 6130

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
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