SIA850DJ-T1-GE3

Número da peça do fabricante:	SIA850DJ-T1-GE3
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 190V 950MA PPAK
Folhas de dados:	SIA850DJ-T1-GE3 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	LITTLE FOOT®
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	190 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	950mA (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	4.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	90 pF @ 100 V
Recurso FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)	1.9W (Ta), 7W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Embalagem / Caixa	PowerPAK® SC-70-6 Dual

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Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
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