SI4712DY-T1-GE3

Número da peça do fabricante:	SI4712DY-T1-GE3
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SO
Folhas de dados:	SI4712DY-T1-GE3 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	SkyFET®, TrenchFET®
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	14.6A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	13mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1084 pF @ 15 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	8-SO
Embalagem / Caixa	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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