TK1K9A60F,S4X

Número da peça do fabricante:	TK1K9A60F,S4X
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Folhas de dados:	TK1K9A60F,S4X Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	U-MOSIX
Pacote	Tube
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	3.7A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	1.9Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 400µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	490 pF @ 300 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	30W (Tc)
Temperatura de operação	150°C
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivo do fornecedor	TO-220SIS
Embalagem / Caixa	TO-220-3 Full Pack

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 236

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

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