FDZ3N513ZT

Número da peça do fabricante:	FDZ3N513ZT
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte da descrição:	MOSFET P-CH 30V 1.1A 4WLCSP
Folhas de dados:	FDZ3N513ZT Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	-
Pacote	Bulk
Status da peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	1.1A
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	462mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	1 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	+5.5V, -300mV
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	85 pF @ 15 V
Recurso FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)	1W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	4-WLCSP (1x1)
Embalagem / Caixa	4-XFBGA, WLCSP

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 25469

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

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Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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