Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK11A60D(STA4,Q,M)
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TK11A60D(STA4,Q,M)
| Número da peça do fabricante: | TK11A60D(STA4,Q,M) |
| Fabricante: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Parte da descrição: | MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS |
| Folhas de dados: | TK11A60D(STA4,Q,M) Folhas de dados |
| Status livre de chumbo / Status RoHS: | Chumbo Livre / Compatível com RoHS |
| Condição de estoque: | Em estoque |
| Vindo de: | Hong Kong |
| Forma de Remessa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVAÇÃO
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| Modelo | Descrição |
|---|---|
| Series | π-MOSVII |
| Pacote | Tube |
| Status da peça | Last Time Buy |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600 V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C | 11A (Ta) |
| Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1550 pF @ 25 V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 45W (Tc) |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | TO-220SIS |
| Embalagem / Caixa | TO-220-3 Full Pack |
Status do estoque: Envio no mesmo dia
Mínimo: 1
| Quantidade | Preço unitário | Ramal Preço |
|---|---|---|
Preço não disponível, RFQ |
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US $ 40 pela FedEx.
Chegue em 3-5 dias
Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente
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