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IR (Infineon Technologies) / BSP89L6327HTSA1
A imagem é para referência, entre em contato conosco para obter a imagem real
BSP89L6327HTSA1
| Número da peça do fabricante: | BSP89L6327HTSA1 |
| Fabricante: | IR (Infineon Technologies) |
| Parte da descrição: | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 |
| Folhas de dados: | BSP89L6327HTSA1 Folhas de dados |
| Status livre de chumbo / Status RoHS: | Chumbo Livre / Compatível com RoHS |
| Condição de estoque: | Em estoque |
| Vindo de: | Hong Kong |
| Forma de Remessa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVAÇÃO
- IR (Infineon Technologies) # C1 # está disponível em chipnets.com. Nós apenas vendemos peças novas e originais e oferecemos 1 ano de garantia. Se você deseja saber mais sobre os produtos ou aplicar um preço mais melhor, entre em contato conosco clicando no Chat Online ou envie-nos um orçamento.
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Especificação
| Modelo | Descrição |
|---|---|
| Series | SIPMOS® |
| Pacote | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Status da peça | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 240 V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C | 350mA (Ta) |
| Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 350mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 108µA |
| Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs | 6.4 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.8W (Ta) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | PG-SOT223-4 |
| Embalagem / Caixa | TO-261-4, TO-261AA |
OPÇÕES DE COMPRA
Status do estoque: Envio no mesmo dia
Mínimo: 1
| Quantidade | Preço unitário | Ramal Preço |
|---|---|---|
Preço não disponível, RFQ |
||
Cálculo de frete
US $ 40 pela FedEx.
Chegue em 3-5 dias
Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente
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