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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK30E06N1,S1X

TK30E06N1,S1X

Número da peça do fabricante: TK30E06N1,S1X
Fabricante: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte da descrição: MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Folhas de dados: TK30E06N1,S1X Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS: Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque: Em estoque
Vindo de: Hong Kong
Forma de Remessa: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVAÇÃO
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package

Especificação
Modelo Descrição
SeriesU-MOSVIII-H
PacoteTube
Status da peçaActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)60 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C43A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs15mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 200µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs16 nC @ 10 V
Vgs (máx.)±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1050 pF @ 30 V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)53W (Tc)
Temperatura de operação150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivo do fornecedorTO-220
Embalagem / CaixaTO-220-3
OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 2

Mínimo: 1

Quantidade Preço unitário Ramal Preço

Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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