NIF9N05CLT3G

Número da peça do fabricante:	NIF9N05CLT3G
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
Folhas de dados:	NIF9N05CLT3G Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	-
Pacote	Bulk
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	59 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	2.6A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	125mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	±15V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	250 pF @ 35 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.69W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	SOT-223 (TO-261)
Embalagem / Caixa	TO-261-4, TO-261AA

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 505

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

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