BSO119N03S

Número da peça do fabricante:	BSO119N03S
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
Folhas de dados:	BSO119N03S Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	OptiMOS™
Pacote	Bulk
Status da peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	9A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	11.9mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 25µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	13 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1730 pF @ 15 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.56W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	PG-DSO-8
Embalagem / Caixa	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
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